デポジションとスパッタリング

計算条件

基板への堆積確率と堆積膜への堆積確率のみを用いた、スパッタリングの無い場合と スパッタリング率=A*(E_in^0.5 - E_th^0.5)*f(θ)とした入射イオン共に考慮したときとの形状比較

計算結果

  • T=300(スパッタリング無し)

    T=300(スパッタリング無し)

  • 入射角度依存性:f(θ)

    入射角度依存性:f(θ)

  • T=300(スパッタリングを考慮)

    T=300(スパッタリングを考慮)

計算時間：Intel Xeon 3.8GHz, 約400[s](スパッタリング無し), 約1000[s](スパッタリング有り)