固体SiO2とポーラスSiO2のエッチング形状の比較

計算条件

固体SiO2とポーラスSiO2のエッチング形状の比較 マスクの幅、厚さは70[nm]、50[nm]。基板底部Siの厚さは50[nm] CF系プラズマによるエッチング 反応式は、錯体、ポリマー生成、イオンアシストエッチングなどを含む34反応式を考慮 SiO2CxFyがエッチングのプリカーサ ポーラスSiO2の空孔平均値、標準偏差は6[nm]、2[nm]、また空孔占有率は40%

計算結果

  • ポリマー層(10秒後)

    ポリマー層(10秒後)

  • ポリマー層(20秒後)

  • ポリマー層(30秒後)

    ポリマー層(30秒後)

  • 固体層(10秒後)

    固体層(10秒後)

  • 固体層(20秒後)

    固体層(20秒後)

  • 固体層(30秒後)

    固体層(30秒後)