SiO2 etching by Fluorocarbon plasma

Computational conditions

SiO2 etching by Fluorocarbon plasma
  • 34 reactions including generation of complexes and polymers, ion assist etching are used.
  • SiO2CxFy is the precursor to etching.

Result

  • T=120 [s] SiO2 layer

    T=120 [s] SiO2 layer

  • T=240 [s] SiO2 layer

    T=240 [s] SiO2 layer

  • Polymer layer （T=120 [s] ）

    Polymer layer （T=120 [s] ）

  • Polymer layer （T=240 [s] ）

    Polymer layer （T=240 [s] ）

  • Solid layer （T=120 [s] ）

    Solid layer （T=120 [s] ）

  • Solid layer （T=240 [s] ）

    Solid layer （T=240 [s] ）